◎液體光致抗蝕劑(簡稱濕膜) 液體光致抗蝕劑(也稱濕膜)是國外九十年代初發展的一種新型感光材料。 隨著表面貼裝技術(SMT)和芯片組裝技術(CMT)的發展,對印制板導線精細程度的要求越來越高,仍使用傳統的干膜進行圖像轉移存在兩個問題。一是干膜感光層上面的那層相對較厚(約為25μm)的聚酯膜降低了分辨率,使精細導線的制作受到限制。二是覆銅箔板表面,諸如針孔、凹陷、劃傷及玻璃纖維造成的凹凸不平等微小缺陷,使貼膜時干膜與銅箔無法緊密結合,形成界面性氣泡,進而蝕刻時蝕刻液會從干膜底部滲入造成圖像的斷線、缺口,電鍍時電鍍溶液從干膜底部浸入造成滲鍍。影響了產品的合格率。為解決上述問題,開發了液體光致抗蝕劑。 液體光致抗蝕劑主要由高感光性樹脂、感光劑、色料、填料及少量溶劑組成。可用網印方式 涂覆,用稀堿水溶液顯影,可抗酸性及弱堿性蝕刻液蝕刻,可抗酸性鍍銅、氟硼酸鍍錫鉛、酸性 鍍鎳、微氰酸性鍍金等溶液的電鍍。
其應用工藝流程為: 基板前處理→涂覆→烘烤→曝光→顯影→干燥→蝕刻或電鍍→去膜
◎ 基板前處理 如干膜一節所述的基板前處理的方法均可適用于液體光致抗蝕劑,但側重點與干膜有所 區別。基板前處理主要是解決表面清潔度和表面粗糙度的問題。 液體光致抗蝕劑的粘合主要是通過化學鍵合反應來完成的。通常液體抗蝕劑是一種以丙 烯酸鹽為基本成分的聚合物,它可能是通過其可自由移動的未聚合的丙烯酸基團與銅結合,為 保證這種鍵合作用,銅表面必須新鮮、無氧化且呈未鍵合的自由狀態,再通過適當粗化,增大表 面積,便可得到優良的粘附力。而干膜具有較高的粘度和較大程度的交聯,可移動的供化學鍵 合利用的自由基團很少,主要是通過機械連接來完成其粘附過程。因此液體抗蝕劑側重要求銅 箔表面的清潔度,而干膜抗蝕劑是側重要求銅箔表面的微觀粗糙度。
◎ 涂覆 根據不同的用途選用不同目數的網版進行涂覆,以得到不同厚度的抗蝕層。實踐表明:用 于印制蝕刻工藝(如制作多層板內層圖像)可選用200目絲網,網印后膜的厚度12土2Mm。用 于圖形電鍍工藝在選用150目一120目絲網,網印后膜的厚度為25土2μm,以使鍍層厚度不超過膜層厚度,防止由于鍍層突延壓住圖像邊緣處的抗蝕層,去膜時又去不掉,造成圖像邊緣不整齊。 涂覆最好是在比印制板有效面積每邊大出5—7mm的范圍內進行,而不是整板涂覆,以 有利于曝光時底版定位的牢度,因為底版定位膠帶若貼在膜層上,使用幾次后粘性便大大降低 容易在曝光抽真空過程中產生底片偏移,特別是制作多層板內層圖像時,這種偏移不易發現, 而是要當表面層做出圖像并蝕刻后方能看出,但此時已無法補救,產品只能報廢。 涂覆后的板子必須上架,而且板與板之間要有一定距離,以保證下步烘烤中干燥的均勻、 徹底。 涂覆方式除了采用網印外,大規模生產的還可以來用幕簾涂布、滾涂或噴涂等方式涂覆。
◎烘烤 烘烤的溫度和時間,不同型號的液體光致抗蝕劑有不同的要求,可參照說明書和具體生產 實踐來確定。 烘烤方式有烘道和烘箱兩種。用烘箱時,烘箱一定要帶有鼓風和恒溫控制,以使各部位溫 度比較均勻。烘烤時間應在烘箱達到設定溫度時開始計算。 控制好烘烤溫度和時間很重要。烘烤溫度過高或時間過長,將難于顯影和去除膜層,而烘 烤溫度過低或時間過短,在曝光過程中底版會沾在抗蝕劑涂覆層上,揭下來時底版易受到損 傷。
◎ 曝光 液體光致抗蝕劑感光的有效波長為300—400nm,因此對干膜和液體光致阻焊劑進行曝 光的設備亦可適用于濕膜曝光,曝光量100—300mJ/平方里米。 因為烘烤后膜層的硬度還不足1H,因此曝光對位時需特別小心,以防劃傷。雖對濕膜適用 的曝光量范圍較寬,但為了增加膜層的抗蝕和抗電鍍能力,以取高限曝光為宜。其感光速度與干膜相比要慢得多,所以要使用高功率曝光機。 當曝光過度時,正相導線圖形易形成散光側蝕,造成線寬減小,反之負相導線圖形形成散 光擴大,線寬增加。當曝光不足時,膜層上出現針孔、砂眼等缺陷。
◎ 顯影 使用1%無水碳酸鈉溶液,溫度20—25℃,噴淋壓力l一2.5kg/平方里米。顯出點控制在3/4— 2/3處。濕膜進入孔內,需延長顯影時間。因為顯影液溫度和濃度高會破壞膠膜的表面硬度和 耐化學性,因此濃度和溫度不宜過高。 從涂覆到顯影間隔時間不宜超過48小時。應用于圖形電鍍工藝,顯影后需檢查孔內是否 顯得徹底干凈。
◎干燥 為使膜層有優良的抗蝕抗電鍍能力,顯影后最好干燥,干燥條件是100℃,1—2分鐘。干燥后膜層硬度可達2H。
◎去除抗蝕劑 使用4—8%的氫氧化鈉溶液,溫度50—60℃,為提高去除速度,提高溫度比提高濃度有效。 應用液體光致抗蝕劑不僅提高了制作精細導線印制板的合格率,而且降低了生產成本,無 需對原有設備進行更新和改造,操作工藝也易于掌握。但液體光致抗蝕劑固體份只有70%左右,其余大部為助劑、溶劑、引發劑等,這些溶劑的揮發在一定程度上對環保帶來麻煩,對操作 者也是一種威脅。操作需在有通風的條件下進行。
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